DS1230AB-120IND+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1230AB-120IND+中文资料参数规格
技术参数
针脚数 28
存取时间 120 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 EDIP-28
外形尺寸
封装 EDIP-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1230AB-120IND+引脚图与封装图 
DS1230AB-120IND+引脚图
DS1230AB-120IND+封装图
DS1230AB-120IND+封装焊盘图
在线购买DS1230AB-120IND+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1230AB-120IND+ | Maxim Integrated 美信 | 非易失性SRAM NVSRAM, 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28 | 搜索库存 |
替代型号DS1230AB-120IND+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1230AB-120IND+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： EDIP-28 | 当前型号 | 非易失性SRAM NVSRAM, 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28 | 当前型号 |
| 型号： DS1230Y-120+ 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-120+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-120IND+和DS1230Y-120+的区别 |
| 型号： DS1230AB-120IND 品牌： 美信 封装： DIP 256000B 5V 120ns 28Pin | 类似代替 | IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP | DS1230AB-120IND+和DS1230AB-120IND的区别 |
| 型号： DS1230Y-120IND 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 120ns 28Pin | 类似代替 | IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP | DS1230AB-120IND+和DS1230Y-120IND的区别 |