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R5011ANJTL、R5011FNX、STB11NK50ZT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R5011ANJTL R5011FNX STB11NK50ZT4

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin(2+Tab) LPTS T/R10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

耗散功率 75W (Tc) 59 W 125 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 28 ns - 18 ns

输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 950pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns - 15 ns

耗散功率(Max) 75W (Tc) 50W (Tc) 125W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 10.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 520 mΩ 0.48 Ω

极性 - N N-Channel

阈值电压 - - 3.75 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 11A 4.50 A

额定功率(Max) - 50 W 125 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

最小包装 - 1000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17