R5011FNX
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R5011FNX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 520 mΩ
极性 N
耗散功率 59 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 950pF @25VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R5011FNX引脚图与封装图 
R5011FNX引脚图
R5011FNX封装图
R5011FNX封装焊盘图
在线购买R5011FNX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R5011FNX | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 搜索库存 |
替代型号R5011FNX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R5011FNX 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 N 500V 11A 0.4ohms | 当前型号 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP11N52K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | R5011FNX和STP11N52K3的区别 |
| 型号： R5011ANJTL 品牌： 罗姆半导体 封装： TO-263-3|D2Pak|TO-263AB | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin2+Tab LPTS T/R | R5011FNX和R5011ANJTL的区别 |