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FQB47P06、FQB47P06TM-AM002、FQB47P06TM_AM002对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB47P06 FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM_AM002

描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB47P06TM_AM002  晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

极性 P-CH - P-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 47A - -47.0 A

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -47.0 A

针脚数 - 2 2

漏源极电阻 - 0.026 Ω 0.026 Ω

耗散功率 - 160 W 160 W

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

上升时间 - 450 ns 450 ns

输入电容(Ciss) - 2800pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 3.75 W

下降时间 - 195 ns 195 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.75 W 3.75 W

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 2800 pF -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99