FQB47P06TM-AM002中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
漏源极电阻 0.026 Ω
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
输入电容 2800 pF
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
下降时间 195 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 音频
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FQB47P06TM-AM002引脚图与封装图
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在线购买FQB47P06TM-AM002
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB47P06TM-AM002 | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 搜索库存 |
替代型号FQB47P06TM-AM002
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB47P06TM-AM002 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： D2PAK | 当前型号 | ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 当前型号 |
| 型号： FQB47P06TM_AM002 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK P-Channel -60V -47A 21mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB47P06TM_AM002 晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V | FQB47P06TM-AM002和FQB47P06TM_AM002的区别 |
| 型号： FQB47P06 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET | FQB47P06TM-AM002和FQB47P06的区别 |