DTC114EET1G、PDTC114EE,115、DTC114EETL对比区别

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型号 DTC114EET1G PDTC114EE,115 DTC114EETL

描述 ON SEMICONDUCTOR  DTC114EET1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416NPN 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ROHM  DTC114EETL  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SOT-416 SOT-416-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W 0.15 W 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW 150 mW 150 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 70.0 mA - 50.0 mA

直流电流增益(hFE) - - 30

增益带宽 - - 250 MHz

额定功率 200 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 ≥300 mV - -

最大电流放大倍数(hFE) 35 - -

长度 1.65 mm 1.8 mm 1.6 mm

宽度 0.9 mm 0.9 mm 0.8 mm

高度 0.8 mm 0.85 mm 0.7 mm

封装 SC-75-3 SOT-416 SOT-416-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - EAR99