DTC114EET1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 200 mW
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 ≥300 mV
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.65 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC114EET1G引脚图与封装图 
DTC114EET1G引脚图
DTC114EET1G封装焊盘图
在线购买DTC114EET1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC114EET1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | 搜索库存 |
替代型号DTC114EET1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC114EET1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 NPN 50V 70mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416 | 当前型号 |
| 型号： DTC114EET1 品牌： 安森美 封装： SOT-416 N-Channel 50V 100mA 300mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | DTC114EET1G和DTC114EET1的区别 |
| 型号： DTC114EETL 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT NPN 50V 50mA 150mW | 功能相似 | ROHM DTC114EETL 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE | DTC114EET1G和DTC114EETL的区别 |
| 型号： FJV3102RMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | 集成电路 | DTC114EET1G和FJV3102RMTF的区别 |