PHD36N03LT、PHD36N03LT,118、CSD17308Q3对比区别

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型号 PHD36N03LT PHD36N03LT,118 CSD17308Q3

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETDPAK N-CH 30V 43.4A30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 8

封装 TO-252-3 TO-252-3 VSON-Clip-8

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0094 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 57.6 W 2.7 W

阈值电压 - - 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 43.4A 43.4A 50A

上升时间 - 10 ns 5.7 ns

输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 57.6 W 57.6 W 2.7 W

下降时间 - 19 ns 2.3 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 57.6W (Tc) 2.7W (Ta)

长度 - - 3.4 mm

宽度 - - 3.4 mm

高度 - - 1.1 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 VSON-Clip-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC