PHD36N03LT
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
PHD36N03LT中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 43.4A
输入电容Ciss 690pF @25VVds
额定功率Max 57.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHD36N03LT引脚图与封装图
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在线购买PHD36N03LT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD36N03LT | NXP 恩智浦 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | 搜索库存 |
替代型号PHD36N03LT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHD36N03LT 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | 当前型号 |
| 型号： PHD36N03LT,118 品牌： 恩智浦 封装： TO-252-3 N-CH 30V 43.4A | 完全替代 | DPAK N-CH 30V 43.4A | PHD36N03LT和PHD36N03LT,118的区别 |
| 型号： CSD17308Q3 品牌： 德州仪器 封装： SMD N-Channel 30V 50A | 功能相似 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | PHD36N03LT和CSD17308Q3的区别 |