FDD6612A、ISL9N327AD3ST、ISL9N322AD3ST对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDD6612A ISL9N327AD3ST ISL9N322AD3ST

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET 30V ， 20A ， 0.022 з N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFET 30V, 20A, 0.022 з

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 20 mΩ 40 mΩ 22.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 36 W 50 W 50 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 20.0 A 20.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 30.0 A - -

针脚数 3 - -

阈值电压 2 V - -

输入电容 660 pF - -

栅电荷 6.70 nC - -

上升时间 5 ns - -

输入电容(Ciss) 660pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 1.3 W - -

下降时间 4 ns - -

耗散功率(Max) 36 W - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -