IPD30N03S2L20ATMA1、IPD135N03L G、IPD135N03LGATMA1对比区别
型号 IPD30N03S2L20ATMA1 IPD135N03L G IPD135N03LGATMA1
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L20ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON IPD135N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0145 Ω 0.0113 Ω 0.0113 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 31 W 31 W
阈值电压 1.6 V 2.2 V 2.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 15 ns 3 ns 3 ns
输入电容(Ciss) 530pF @25V(Vds) 1000pF @15V(Vds) 770pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 31 W -
下降时间 10 ns 2.2 ns 2.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 31W (Tc) 31000 mW
额定功率 - - 31 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 30A - 30A
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.41 mm 2.3 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17