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IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L20ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson


得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L20ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
IPD30N03S2L20ATMA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0145 ohm, 10 V, 1.6 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD30N03S2L20ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0145 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 530pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPD30N03S2L20ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD30N03S2L20ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L20ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD30N03S2L20ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD30N03S2L20ATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252-3 N-CH 30V 30A

当前型号

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L20ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号： IPD135N03L G

品牌： 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel

类似代替

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD30N03S2L20ATMA1和IPD135N03L G的区别

型号： IPD135N03LGATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 30V 30A

类似代替

INFINEON  IPD135N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 V

IPD30N03S2L20ATMA1和IPD135N03LGATMA1的区别