锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPD135N03L G

IPD135N03L G

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IPD135N03L G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0113 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1000pF @15VVds

额定功率Max 31 W

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 VRD/VRM, Motor Drive & Control, Lighting, Mainboard, 照明, 工业, Onboard charger, 电机驱动与控制, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD135N03L G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD135N03L G
型号 制造商 描述 购买
IPD135N03L G Infineon 英飞凌 IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPD135N03L G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD135N03L G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel

当前型号

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: IPD135N03LGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 30V 30A

类似代替

INFINEON  IPD135N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 V

IPD135N03L G和IPD135N03LGATMA1的区别

型号: IPD30N03S2L20ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 30V 30A

类似代替

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L20ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

IPD135N03L G和IPD30N03S2L20ATMA1的区别

型号: IPD30N03S4L09ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 30V 30A

类似代替

INFINEON  IPD30N03S4L09ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V

IPD135N03L G和IPD30N03S4L09ATMA1的区别