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IPD088N06N3GBTMA1、IPD160N04LGBTMA1、IPD50N06S4L12ATMA2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD088N06N3GBTMA1 IPD160N04LGBTMA1 IPD50N06S4L12ATMA2

描述 INFINEON  IPD088N06N3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 40V 30A晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 71 W - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0071 Ω - 0.0096 Ω

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 71 W 31W (Tc) 50 W

阈值电压 3 V - 1.7 V

输入电容 2900 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 40 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 30A 50A

上升时间 40 ns 1.8 ns 2 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @30V(Vds) 1200pF @20V(Vds) 2220pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 2.4 ns 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 71000 mW 31W (Tc) 50000 mW

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.41 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)