锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPD160N04LGBTMA1

IPD160N04LGBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 40V 30A

表面贴装型 N 通道 40 V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3


IPD160N04LGBTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 31W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 1.8 ns

输入电容Ciss 1200pF @20VVds

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD160N04LGBTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD160N04LGBTMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD160N04LGBTMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 40V 30A 搜索库存
替代型号IPD160N04LGBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD160N04LGBTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-CH 40V 30A

当前型号

DPAK N-CH 40V 30A

当前型号

型号: IPD088N06N3GBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 50A

类似代替

INFINEON  IPD088N06N3GBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V

IPD160N04LGBTMA1和IPD088N06N3GBTMA1的区别

型号: IPD170N04NGBTMA1

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-CH 40V 30A

类似代替

DPAK N-CH 40V 30A

IPD160N04LGBTMA1和IPD170N04NGBTMA1的区别

型号: IPD088N06N3G

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-Channel 60V 50A

功能相似

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD160N04LGBTMA1和IPD088N06N3G的区别