PUMD10,115、PUMD10,125、PUMD10,135对比区别

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型号 PUMD10,115 PUMD10,125 PUMD10,135

描述 NXP  PUMD10,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363TSSOP NPN+PNP 50V 100mATSSOP NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 TSSOP-6

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 200 mW 0.3 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 200 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

通道数 - 2 -

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 TSSOP-6

宽度 - 1.35 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -