PUMD10,135
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMD10,135中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMD10,135引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMD10,135
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMD10,135 | NXP 恩智浦 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PUMD10,135
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMD10,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP 300mW | 当前型号 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PUMD10,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 功能相似 | NXP PUMD10,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363 | PUMD10,135和PUMD10,115的区别 |