锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

KSH122、MJD122T4G、MJD122T4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH122 MJD122T4G MJD122T4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSH122  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD122T4G.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 8.00 A 5.00 A

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 8A 8A -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

额定功率(Max) - 1.75 W 20 W

直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 - 4MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 1750 mW 20000 mW

额定功率 - - 1.75 W

长度 - 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 6.22 mm 6.2 mm

高度 - 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99