MJD122T4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, Automotive, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD122T4G引脚图与封装图 
MJD122T4G引脚图
MJD122T4G封装焊盘图
在线购买MJD122T4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD122T4G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD122T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号MJD122T4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD122T4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK NPN 100V 8A 1750mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD122T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： MJD122T4 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 100V 8A | 完全替代 | 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistor | MJD122T4G和MJD122T4的区别 |
| 型号： MJD122G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 100V 8A 1750mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD122G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFE | MJD122T4G和MJD122G的区别 |
| 型号： NJVMJD122T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK NPN 1750mW | 类似代替 | NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MJD122T4G和NJVMJD122T4G的区别 |