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MC33262DR2、UCC3802N、UCC2801N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33262DR2 UCC3802N UCC2801N

描述 功率因数控制器 Power Factor ControllersTEXAS INSTRUMENTS  UCC3802N  控制器, BiMOS电流模式, 12V-10V电源, 1 MHz, 5.075V/200mA输出, DIP-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC2801N.  芯片, 控制器, PWM, 低功率, BICOMOS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电源管理PWM控制器稳压芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 PDIP-8

频率 - 1 MHz 1 MHz

电源电压(DC) - 12.0V (max) 10.0V (max)

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) - 10.0 V 2.50 V

输出电压 - 5.075 V 1 V

输出电流 - 200 mA 1 A

供电电流 - 500 µA 500 µA

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 1.00 W 1000 mW

调节输出数 - 1 1

上升时间 - 41 ns 41 ns

开关频率 - 1000 kHz 1000 kHz

拓扑结构 - Buck, Boost, Flyback, Forward Boost, Flyback, Forward

占空比 - 99 % 50 %

最大占空比 - 50 % 50 %

下降时间 - 44 ns 44 ns

工作温度(Max) 105 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

电源电压 12V ~ 28V 8.3V ~ 12V 7.4V ~ 12V

电源电压(Max) - 12 V 10 V

电源电压(Min) - 10 V 0 V

输入电压 - 10 V 2.5 V

长度 5 mm 9.81 mm 9.81 mm

宽度 4 mm 6.35 mm 6.35 mm

高度 1.5 mm 4.57 mm 4.57 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99