FJV4106RMTF、PDTA114TT,215、MMUN2111LT1G对比区别

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型号 FJV4106RMTF PDTA114TT,215 MMUN2111LT1G

描述 特点•开关应用（偏置电阻内置）•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R1=10KΩ，R2=47KΩ）•到FJV3103R补NXP  PDTA114TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMUN2111LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

额定功率 - - 246 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 250 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 200 @1mA, 5V 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 35

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 246 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 400 mW

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 0.93 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99