PDTA114TT,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA114TT,215中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTA114TT,215引脚图与封装图
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在线购买PDTA114TT,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA114TT,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTA114TT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号PDTA114TT,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA114TT,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 当前型号 | NXP PDTA114TT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： MMUN2115LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V 100mA 400mW | 功能相似 | ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA114TT,215和MMUN2115LT1G的区别 |
| 型号： FJV4106RMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA | 功能相似 | 特点•开关应用（偏置电阻内置）•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R1=10KΩ，R2=47KΩ）•到FJV3103R补 | PDTA114TT,215和FJV4106RMTF的区别 |