FDC6318P、ZXM62P03E6TC、FDC6306P对比区别

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型号 FDC6318P ZXM62P03E6TC FDC6306P

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6318P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6306P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.9 A, -20 V, 0.127 ohm, -4.5 V, -900 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) -12.0 V - -20.0 V

额定电流 -2.50 A - -1.90 A

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 90 mΩ 230 mΩ 0.127 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 960 mW 625 mW 960 mW

输入电容 455 pF - 441 pF

栅电荷 5.40 nC - 3.00 nC

漏源极电压(Vds) 12 V 30 V 20 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) -2.50 A 1.50 A -1.90 A

上升时间 14 ns 6.4 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 455pF @6V(Vds) 330pF @25V(Vds) 441pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW - 700 mW

下降时间 17 ns 6.4 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.96 W 625mW (Ta) 0.96 W

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

阈值电压 700 mV - -

长度 3 mm 3.1 mm 3 mm

宽度 1.7 mm 1.8 mm 1.7 mm

高度 1 mm 1.3 mm 1 mm

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99