额定电压DC -12.0 V
额定电流 -2.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 90 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 960 mW
阈值电压 700 mV
输入电容 455 pF
栅电荷 5.40 nC
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids -2.50 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 455pF @6VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.96 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDC6318P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6318P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDC6318P 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SSOT P-Channel -12V -2.5A 69mohms 455pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6318P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV | 当前型号 | |
型号: FDC6306P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SSOT P-Channel -20V -1.9A 170mohms 441pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6306P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.9 A, -20 V, 0.127 ohm, -4.5 V, -900 mV | FDC6318P和FDC6306P的区别 | |
型号: ZXM62P03E6TC 品牌: 美台 封装: | 功能相似 | 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | FDC6318P和ZXM62P03E6TC的区别 | |
型号: FDC6306P_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6Pin SuperSOT T/R | FDC6318P和FDC6306P_NL的区别 |