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FDC6318P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6318P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV

The is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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Small footprint
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Low profile
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±8V Gate to source voltage
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-2.5A Continuous drain/output current
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-7A Pulsed drain/output current
FDC6318P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -12.0 V

额定电流 -2.50 A

针脚数 6

漏源极电阻 90 mΩ

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 960 mW

阈值电压 700 mV

输入电容 455 pF

栅电荷 5.40 nC

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids -2.50 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 455pF @6VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.96 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC6318P引脚图与封装图
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在线购买FDC6318P
型号 制造商 描述 购买
FDC6318P Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6318P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV 搜索库存
替代型号FDC6318P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDC6318P

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SSOT P-Channel -12V -2.5A 69mohms 455pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6318P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.5 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, 700 mV

当前型号

型号: FDC6306P

品牌: 飞兆/仙童

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封装:

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