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BD241C、TIP31C、TIP31CG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD241C TIP31C TIP31CG

描述 STMICROELECTRONICS  BD241C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFESTMICROELECTRONICS  TIP31C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 3 A, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  TIP31CG  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz - 3 MHz

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 25 - -

额定功率(Max) 40 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 25 50 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 2 W 2000 mW

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 3.00 A 3.00 A

热阻 - - 3.125℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 3A

工作结温 - - -65℃ ~ 150℃

集电极击穿电压 - 100 V -

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.82 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.28 mm

高度 - 9.15 mm 9.28 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99