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BD241C

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STMICROELECTRONICS  BD241C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFE

The is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

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Well-controlled hFE parameter for increased reliability
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Collector-base voltage Vcbo = 100V
.
Emitter-base voltage Vcbo = 5V
BD241C中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 25

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.6 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Audio, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BD241C引脚图与封装图
BD241C引脚图

BD241C引脚图

BD241C封装图

BD241C封装图

BD241C封装焊盘图

BD241C封装焊盘图

在线购买BD241C
型号 制造商 描述 购买
BD241C ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  BD241C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFE 搜索库存
替代型号BD241C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BD241C

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 NPN 40000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  BD241C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFE

当前型号

型号： TIP31C

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 NPN 100V 3A 2W

类似代替

STMICROELECTRONICS  TIP31C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 3 A, 50 hFE

BD241C和TIP31C的区别

型号： TIP31C-S

品牌： 伯恩斯

封装： TO-220-3 NPN

类似代替

TO-220 NPN 100V 3A

BD241C和TIP31C-S的区别

型号： TIP31CG

品牌： 安森美

封装： TO-220 NPN 100V 3A 2000mW

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