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SD-30、STL8N10LF3、IPD49CN10NG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SD-30 STL8N10LF3 IPD49CN10NG

描述 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, DPAK-3/2N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Secos ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 3

封装 - PowerSMD-8 TO-252

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 70 W 44.0 W

上升时间 - 9.6 ns 4 ns

输入电容(Ciss) - 970pF @25V(Vds) 822pF @50V(Vds)

下降时间 - 5.2 ns 3 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 4.3W (Ta), 70W (Tc) 44000 mW

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.025 Ω -

阈值电压 - 1V ~ 3V -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 20A -

额定功率(Max) - 70 W -

封装 - PowerSMD-8 TO-252

长度 - 6.15 mm -

宽度 - 5.2 mm -

高度 - 0.95 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -