锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STL8N10LF3

STL8N10LF3

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6


欧时:
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STL8N10LF3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STL8N10LF3 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with stripfet f3 technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin PowerFLAT 5x6 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin Power Flat T/R


STL8N10LF3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-CH

耗散功率 70 W

阈值电压 1V ~ 3V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 9.6 ns

输入电容Ciss 970pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 5.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.3W Ta, 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerSMD-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.2 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerSMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STL8N10LF3引脚图与封装图
STL8N10LF3引脚图

STL8N10LF3引脚图

STL8N10LF3封装图

STL8N10LF3封装图

STL8N10LF3封装焊盘图

STL8N10LF3封装焊盘图

在线购买STL8N10LF3
型号 制造商 描述 购买
STL8N10LF3 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STL8N10LF3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STL8N10LF3

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: PowerFLAT N-CH 100V 20A

当前型号

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: SD-30

品牌: Secos

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 20A ID, 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, DPAK-3/2

STL8N10LF3和SD-30的区别