IPD49CN10NG
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPD49CN10NG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 44.0 W
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 822pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 44000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IPD49CN10NG引脚图与封装图
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在线购买IPD49CN10NG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD49CN10NG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPD49CN10NG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD49CN10NG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252AA N-Channel | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： SD-30 品牌： Secos 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 20A ID, 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, DPAK-3/2 | IPD49CN10NG和SD-30的区别 |
