锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N6039G、BD679A、2N6039对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6039G BD679A 2N6039

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6039G  达林顿双极晶体管STMICROELECTRONICS  BD679A  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFESTMICROELECTRONICS  2N6039  达林顿双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 15 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40 W 40000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 80 V - -

输出电流 4 A - -

热阻 83.3℃/W (RθJA) - -

集电极最大允许电流 4A - -

最大电流放大倍数(hFE) 15000 - -

输入电压 5 V - -

长度 11.04 mm 7.8 mm 7.8 mm

宽度 2.66 mm 2.7 mm 2.7 mm

高度 2.66 mm 10.8 mm 10.8 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -