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2N6039G

ON SEMICONDUCTOR  2N6039G  达林顿双极晶体管

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126


立创商城:
2N6039G


欧时:
ON Semiconductor 2N6039G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=100, 3引脚 TO-225AA封装


贸泽:
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN


e络盟:
达林顿双极晶体管


艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
ON Semi 2N6039G NPN Darlington Transistor, 4 A 80 V HFE:100, 3-Pin TO-225AA


安富利:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.5 W, 4 A, 15 hFE


罗切斯特:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Win Source:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA


2N6039G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 80 V

输出电流 4 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

热阻 83.3℃/W RθJA

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 15000

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40 W

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 11.04 mm

宽度 2.66 mm

高度 2.66 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6039G引脚图与封装图
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在线购买2N6039G
型号 制造商 描述 购买
2N6039G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N6039G  达林顿双极晶体管 搜索库存
替代型号2N6039G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N6039G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 80V 4A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N6039G  达林顿双极晶体管

当前型号

型号: BD679AG

品牌: 安森美

封装: TO-225 NPN 80V 4A 40000mW

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2N6039G和BD679AG的区别

型号: MJE803G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 NPN 80V 4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJE803G  双极晶体管

2N6039G和MJE803G的区别

型号: BD679ASTU

品牌: 安森美

封装: TO-126-3 40000mW

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