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CSD17571Q2、NTTFS4930NTWG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17571Q2 NTTFS4930NTWG

描述 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD175712Q30V,23A,23mΩ,单N沟道MOSFET

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8

封装 WSON-FET-6 WDFN-8

漏源极电阻 0.02 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 790mW (Ta), 20.2W (Tc)

阈值电压 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 22A 9.6A

上升时间 19 ns -

输入电容(Ciss) 468pF @15V(Vds) 476pF @15V(Vds)

下降时间 2.6 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 790mW (Ta), 20.2W (Tc)

封装 WSON-FET-6 WDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 -