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CSD17571Q2

CSD17571Q2

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD175712Q

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗,同时提供出色的封装散热性能。

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低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩级
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无铅引脚镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化
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存储、平板电脑和手持设备
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针对控制场效应 FET 应用进行了优化

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CSD17571Q2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 468pF @15VVds

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-FET-6

外形尺寸

封装 WSON-FET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17571Q2引脚图与封装图
CSD17571Q2引脚图

CSD17571Q2引脚图

CSD17571Q2封装图

CSD17571Q2封装图

CSD17571Q2封装焊盘图

CSD17571Q2封装焊盘图

在线购买CSD17571Q2
型号 制造商 描述 购买
CSD17571Q2 TI 德州仪器 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD175712Q 搜索库存
替代型号CSD17571Q2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17571Q2

品牌: TI 德州仪器

封装: WSON-FET-6 N-Channel 30V 22A

当前型号

30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD175712Q

当前型号

型号: NTTFS4930NTWG

品牌: 安森美

封装: WDFN-8 N-CH 30V 9.6A

功能相似

30V,23A,23mΩ,单N沟道MOSFET

CSD17571Q2和NTTFS4930NTWG的区别