BCP53TA、DCP53-13、BCP53T1对比区别
描述 Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RTRANS PNP BIPO DC GAIN SOT-223中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - -
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
频率 150 MHz 200 MHz -
额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V
额定电流 -1.00 A - -15.0 A
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 2 W 1 W 1.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
额定功率(Max) 2 W 1 W 1.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 1000 mW -
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 3.5 mm
高度 - - 1.57 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99