BCP53T1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
BCP53T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -15.0 A
极性 PNP
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCP53T1引脚图与封装图
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在线购买BCP53T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP53T1 | ON Semiconductor 安森美 | 中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT | 搜索库存 |
替代型号BCP53T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP53T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 PNP -80V -15A | 当前型号 | 中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT | 当前型号 |
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