DCP53-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DCP53-13中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DCP53-13引脚图与封装图
暂无图片
替代型号DCP53-13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DCP53-13 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-223 PNP 1000mW | 当前型号 | TRANS PNP BIPO DC GAIN SOT-223 | 当前型号 |
| 型号： BCP53TA 品牌： 美台 封装： TO-261-4 PNP 80V 1A 2000mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | DCP53-13和BCP53TA的区别 |