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W632GG6KB-12、W632GU6KB-12、W632GG6KB-12 TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W632GG6KB-12 W632GU6KB-12 W632GG6KB-12 TR

描述 DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96IC SDRAM 2GBIT 800MHz 96BGA

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 96 96 96

封装 TFBGA-96 TFBGA-96 TFBGA-96

安装方式 Surface Mount - -

供电电流 250 mA 250 mA -

位数 - 16 16

存取时间(Max) 0.225 ns 0.1 ns 0.225 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.283V ~ 1.45V 1.425V ~ 1.575V

时钟频率 800 MHz - -

存取时间 20 ns - -

封装 TFBGA-96 TFBGA-96 TFBGA-96

高度 1.2 mm - -

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -