2N3055、JANTXV2N3055、2N3055G对比区别

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型号 2N3055 JANTXV2N3055 2N3055G

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

频率 - - 2.5 MHz

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 15.0 A

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 - - 115 W

增益频宽积 - - 2.5 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 70 V 60 V

热阻 - - 1.52℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 15A

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @4A, 4V 20

最大电流放大倍数(hFE) - - 70

额定功率(Max) - 6 W 115 W

直流电流增益(hFE) - - 70

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW - 115 W

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99