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2N3055G

ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管

NPN 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 60V 15A TO204


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NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


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2N3055G


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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 15A 60V


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Trans GP BJT NPN 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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Transistor; Bipolar; Si; NPN; Power; VCEO 60VDC; IC 15A; PD 115W; TO-204AA TO-3


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2N Series NPN 115 W 60 V 15 A Flange Mount Power Transistor - TO-3


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Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE


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Win Source:
TRANS NPN 60V 15A TO3


2N3055G中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 15.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 115 W

增益频宽积 2.5 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 1.52℃/W RθJC

集电极最大允许电流 15A

最小电流放大倍数hFE 20

最大电流放大倍数hFE 70

额定功率Max 115 W

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N3055G引脚图与封装图
2N3055G引脚图

2N3055G引脚图

2N3055G封装图

2N3055G封装图

2N3055G封装焊盘图

2N3055G封装焊盘图

在线购买2N3055G
型号 制造商 描述 购买
2N3055G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管 搜索库存
替代型号2N3055G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N3055G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 NPN 60V 15A 115000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管

当前型号

型号: 2N3055AG

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 60V 15A 115000mW

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ON SEMICONDUCTOR  2N3055AG.  双极晶体管

2N3055G和2N3055AG的区别

型号: 2N3055

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 60V 15A 115W

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