IRFS31N20DPBF、STB19NF20、STB40NF20对比区别

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型号 IRFS31N20DPBF STB19NF20 STB40NF20

描述 N沟道 200V 31ASTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAKSTMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - 1 -

耗散功率 3.1 W 90 W 160 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 38.0 ns 22 ns 44 ns

输入电容(Ciss) 2370pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 90 W 160 W

下降时间 - 11 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 90W (Tc) 160W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 31.0 A - 40.0 A

漏源极电阻 82 mΩ - 0.045 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

产品系列 IRFS31N20D - -

阈值电压 5.5 V - 3 V

漏源击穿电压 200 V - 200 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A - 25.0 A, 40.0 A

工作结温(Max) 150 ℃ - -

针脚数 - - 3

输入电容 - - 2.50 nF

栅电荷 - - 75.0 nC

长度 - 10.75 mm 10.4 mm

宽度 - 10.4 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99