IPB108N15N3G、IPP111N15N3G、IPP200N15N3GXKSA1对比区别

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型号 IPB108N15N3G IPP111N15N3G IPP200N15N3GXKSA1

描述 OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3-2 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - - 150 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.016 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 214 W 214 W 150 W

阈值电压 - - 3 V

输入电容 - - 1820 pF

漏源极电压(Vds) - - 150 V

连续漏极电流(Ids) - - 50A

上升时间 - - 11 ns

输入电容(Ciss) - - 1820pF @75V(Vds)

额定功率(Max) - - 150 W

下降时间 - - 6 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 150W (Tc)

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3-2 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC