CSD87312Q3E、CSD87312Q3E-ASY对比区别

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型号 CSD87312Q3E CSD87312Q3E-ASY

描述 双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETsVSON N-CH 30V 27A

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 -

封装 PowerTDFN-8 VSON

通道数 2 -

漏源极电阻 38 mΩ -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W -

阈值电压 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 27A 27A

上升时间 16 ns -

输入电容(Ciss) 1250pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W -

下降时间 2.9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5 W -

长度 3.3 mm -

宽度 3.3 mm -

高度 1 mm -

封装 PowerTDFN-8 VSON

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 正在供货 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead