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CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

TI(德州仪器) 分立器件

双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻,这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。

R=63°C/W,这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 FR4PCB 上 1 in²(2 盎司)铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2% 。

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共源连接
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超低漏极到漏极导通电阻
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节省空间的小外形尺寸无引线 SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
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针对 5V 栅极驱动进行了优化
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低热阻
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雪崩级
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 标准
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无卤素
CSD87312Q3E中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 38 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1250pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 2.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD87312Q3E引脚图与封装图
CSD87312Q3E引脚图

CSD87312Q3E引脚图

CSD87312Q3E封装图

CSD87312Q3E封装图

CSD87312Q3E封装焊盘图

CSD87312Q3E封装焊盘图

在线购买CSD87312Q3E
型号 制造商 描述 购买
CSD87312Q3E TI 德州仪器 双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 搜索库存
替代型号CSD87312Q3E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD87312Q3E

品牌: TI 德州仪器

封装: 8-PowerTDFN N-CH 30V 27A

当前型号

双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

当前型号

型号: CSD87312Q3E-ASY

品牌: 德州仪器

封装: VSON N-CH 30V 27A

类似代替

VSON N-CH 30V 27A

CSD87312Q3E和CSD87312Q3E-ASY的区别