MTB30P06VT4G、SPD30P06P、IRFU5305PBF对比区别

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型号 MTB30P06VT4G SPD30P06P IRFU5305PBF

描述 P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.065Ω; ID -31A; I-Pak (TO-251AA); PD 110W

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -55.0 V

额定电流 -30.0 A -30.0 A -28.0 A

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 3 W 125 W 110 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A -31.0 A

上升时间 25.9 ns 11 ns 66.0 ns

输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 52.4 ns 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) -

通道数 1 - 1

漏源极电阻 80 mΩ - 0.065 Ω

产品系列 - - IRFU5305

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 60 V - -55.0 V

额定功率(Max) 3 W - 110 W

栅源击穿电压 ±15.0 V - -

长度 10.29 mm 6.5 mm 17.09 mm

宽度 9.65 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm 6.73 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3

脚长度 - - 9.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -