MTB30P06VT4G、SPD30P06P、IRFU5305PBF对比区别
型号 MTB30P06VT4G SPD30P06P IRFU5305PBF
描述 P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.065Ω; ID -31A; I-Pak (TO-251AA); PD 110W
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -55.0 V
额定电流 -30.0 A -30.0 A -28.0 A
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 3 W 125 W 110 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A -31.0 A
上升时间 25.9 ns 11 ns 66.0 ns
输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
下降时间 52.4 ns 20 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 80 mΩ - 0.065 Ω
产品系列 - - IRFU5305
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 60 V - -55.0 V
额定功率(Max) 3 W - 110 W
栅源击穿电压 ±15.0 V - -
长度 10.29 mm 6.5 mm 17.09 mm
宽度 9.65 mm 6.22 mm -
高度 4.83 mm 2.3 mm 6.73 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3
脚长度 - - 9.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -