MUN2216T1、MUN2216T1G对比区别

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型号 MUN2216T1 MUN2216T1G

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORNPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-59 SOT-23-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN N-Channel, NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

无卤素状态 - Halogen Free

耗散功率 - 0.338 W

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 338 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 338 mW

封装 SC-59 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99