MUN2216T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.338 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 338 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN2216T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN2216T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN2216T1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MUN2216T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN2216T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 N-Channel 50V 100mA 338mW | 当前型号 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 当前型号 |
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| 型号： MUN2216T1 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA | 功能相似 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | MUN2216T1G和MUN2216T1的区别 |
| 型号： DTC143TKA 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-23/SC-59/SMT3 NPN | 功能相似 | 百毫安/ 50V数字晶体管（带内置式电阻器） 100mA / 50V Digital transistors with built-in resistors | MUN2216T1G和DTC143TKA的区别 |