FDN337N、SI2304DDS-T1-GE3、RTR040N03TL对比区别

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型号 FDN337N SI2304DDS-T1-GE3 RTR040N03TL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN337N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mV30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFETROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.054 Ω 0.049 Ω 0.066 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 1.1 W 1 W

阈值电压 700 mV 2.2 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.20 A 3.60 A 4.00 A

上升时间 10 ns 12 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) 235pF @15V(Vds) 475pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 1.7 W 1 W

下降时间 4 ns 5 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1.7 W 1W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 2.20 A - -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.60 mm

高度 0.94 mm 1.02 mm 0.85 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -