锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DTC123E、DTC123EM3T5G、DTC123JUAT106对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123E DTC123EM3T5G DTC123JUAT106

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORNPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SMT-3 SOT-723-3 SOT-323-3

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

额定功率 - - 0.2 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.6 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 8 80

额定功率(Max) - 260 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) - 338 mW 200 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 - 1.25 mm 2 mm

宽度 - 0.8 mm 1.25 mm

高度 - 0.55 mm 0.8 mm

封装 SMT-3 SOT-723-3 SOT-323-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -