DTC123EM3T5G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 8
额定功率Max 260 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
长度 1.25 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-723-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
DTC123EM3T5G引脚图与封装图 
DTC123EM3T5G引脚图
DTC123EM3T5G封装图
DTC123EM3T5G封装焊盘图
在线购买DTC123EM3T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTC123EM3T5G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号DTC123EM3T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTC123EM3T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-723-3 NPN 50V 100mA 600mW | 当前型号 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： DTC123JM3T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-723-3 NPN 50V 100mA 600mW | 类似代替 | 数字晶体管（ BRT ） NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | DTC123EM3T5G和DTC123JM3T5G的区别 |
| 型号： MUN5235T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 N-Channel 50V 100mA 310mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MUN5235T1G 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新 | DTC123EM3T5G和MUN5235T1G的区别 |
| 型号： DTC123EET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 NPN 50V 100mA 300mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network | DTC123EM3T5G和DTC123EET1G的区别 |