PHM30NQ10T,518、PH1955L,115、PH20100S,115对比区别

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型号 PHM30NQ10T,518 PH1955L,115 PH20100S,115

描述 HVSON N-CH 100V 37.6ALFPAK N-CH 55V 40APH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 5 4

封装 HVSON-8 SOT-669 SOT-669

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 75 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 55 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 37.6A 40.0 A 34.3 A

上升时间 11 ns 180 ns -

输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 1992pF @25V(Vds) 2264pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 75 W 62.5 W

下降时间 51 ns 134 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 62.5W (Tc) 75W (Tc) 62.5W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 20 mΩ - -

漏源击穿电压 100 V - -

封装 HVSON-8 SOT-669 SOT-669

长度 6 mm - -

宽度 5 mm - -

高度 0.85 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free